Thiết bị đánh bóng Ion IM4000

☆☆☆☆☆ ( 0 đánh giá ) 525 lượt xem
Giá tham khảo : Liên hệ

Nhà cung ứng: Công ty TNHH Hitachi Asia (Việt Nam)

Hệ thống tích hợp hai chế độ đánh bóng: phẳng và mặt cắt (hệ thống kép).

  • ● Hệ thống kép: Có thể cấu hình hai chế độ đánh bóng:
    - Chế độ đánh bóng mặt cắt: Chế độ đánh bóng mặt cắt của mẫu cho độ phân giải hình ảnh cấu trúc bề mặt sâu hơn và rõ nét hơn.
    - Chế độ đánh bóng phẳng: Cho khả năng đánh bóng bề mặt làm cho bề mặt đồng đều hơn, phạm vi đánh bóng nên tới 5mm (đường kính) và có thể thay đổi được góc đánh bóng làm nổi bật các đặc tính trên bề mặt mẫu vật.
    ● Hiệu suất đánh bóng mẫu cao: hiệu suất đánh bóng được cải tiến hơn so với các thế hệ cũ:
    - Giảm thời gian đánh bóng đặc biệt ở chế độ đánh bóng mặt cắt nhờ thiết kế cải tiến súng phóng chùm ion so với thế hệ trước là model E-3500.
    (Tốc độ đánh bóng tối đa: 300um/giờ (500um đối với IM4000 plus) với mẫu Si – giảm 66% thời gian xử lý.)
    ● Đế giữ mẫu có thể tháo rời dễ dàng:
    - Đế giữ mẫu có thể tháo lắp dễ dàng thuận tiện cho việc chuẩn bị mẫu và xác định biên độ cắt.

  • THÔNG SỐ KỸ THUẬT
  • STT

    Mô tả

    Bệ mẫu mặt cắt

    Bệ mẫu phẳng

    Khí sử dụng

    Khí Argon

    Thế gia tốc

    0 – 6kV

    Tốc độ đanh bóng tối đa *1*2 (đối với Si)

    Khoảng 300um/h*1*2

    Khoảng 20um/h*3 (điểm)

    Khoảng 2um/h*4 (phẳng)

    Kích thước mẫu tối đa

    20(W)x12(D)x7(H)mm

    ɸ50x25(H)mm

    Phạm vi di chuyển mẫu

    X±7mm, Y 0 đến +3mm

    X 0 tới +5mm

    Góc xoay

    -

    1 r/m, 25 r/m

    Xoay qua lại

    ±15°, ±30º, ±40º

    ±60º±90°

    Nghiêng

    -

    0 - 90º

    Bộ điều khiển lưu lượng khí vào

    Bộ điều khiển Mass flow control

    Hệ thống hút chân không

    Bơm Turbo phân tử 33L/s + Bơm quay 135L/min ở tần số 50Hz, 162L/min ở 60Hz

    Kích thước

    616(W)x705(D)x312(H)mm

    Trọng lượng

    Máy chính 48kg + 28kg bơm quay

    Phụ kiện chọn thêm

    Kính hiển vi quang học để quan sát mẫu trong qua trình đánh bóng

     
    *1: Tốc độ này là độ sâu lớn nhất vào vật liệu Si tính từ vị trí cuối của tấm Mask khoảng 100um
    *2: Tốc độ này là giá trị trung bình với vât liệu Si được xử lý trong 2 giờ
    *3: Gốc chiếu chùm Ion: 60º giá trị lệch tâm: 4mm
    *4: Gốc chiếu chùm Ion: 0º giá trị lệch tâm: 0mm 

    Scroll