Thứ Tư, 18/3/2026, 10:43 (GMT+7)
Vật liệu siêu mỏng với khả năng chống plasma vượt trội cho phép chế tạo nano với tỷ lệ chiều dài/chiều rộng cao. Ảnh: Jennifer McCann/Đại học bang Pennsylvania
Việc thu nhỏ kích thước chip máy tính không chỉ phụ thuộc vào thiết kế mà còn liên quan đến một công đoạn quan trọng trong sản xuất gọi là tạo hình mẫu – quá trình khắc các cấu trúc nano lên vật liệu để hình thành mạch điện. Trong bước này, các kỹ sư sử dụng lớp mặt nạ cứng, một lớp vật liệu mỏng nhưng bền, giúp bảo vệ những vùng cần giữ lại trong khi các phần còn lại bị khắc bỏ.
Theo Saptarshi Das, Giáo sư Khoa học Kỹ thuật và Cơ khí tại Đại học Penn State (Mỹ), khi kích thước chip ngày càng nhỏ, quy trình sản xuất cũng trở nên khắt khe hơn. Các lớp mặt nạ phải chịu được môi trường xử lý khắc nghiệt; nếu vật liệu bị xuống cấp, các mẫu mạch sẽ không thể được truyền tải chính xác.
Trong nghiên cứu công bố trên tạp chí Nature Materials, nhóm của Das cho biết crom oxyclorua (CrOCl) – một vật liệu hai chiều siêu mỏng ở cấp độ nguyên tử – có thể trở thành ứng viên tiềm năng cho lớp mặt nạ cứng thế hệ mới. Kết quả thử nghiệm cho thấy vật liệu này có khả năng chống chịu tốt hơn so với nhiều vật liệu truyền thống như silicon dioxide, silicon nitride hay titan nitride, vốn thường bị bào mòn trong quá trình khắc plasma.
Theo các nhà nghiên cứu, ưu thế của crom oxyclorua đến từ cấu trúc tinh thể nhiều lớp của vật liệu hai chiều. Ziheng Chen, nghiên cứu sinh tại Penn State, cho biết khi tiếp xúc với plasma, bề mặt vật liệu sẽ hình thành một lớp thụ động hóa trơ về mặt hóa học, giúp bảo vệ lớp bên dưới khỏi các phản ứng tiếp theo. Nhờ đó, vật liệu có thể duy trì độ bền cao hơn trong môi trường khắc nghiệt.
Một ưu điểm khác là lớp mặt nạ này có thể được tạo hình trên nền cứng rồi chuyển sang các vật liệu mỏng như nhựa dẻo hoặc thủy tinh, mở ra khả năng ứng dụng trong điện tử linh hoạt và các nền tảng cảm biến.
Nhóm nghiên cứu cũng ghi nhận một hiện tượng bất ngờ: khi bị plasma bắn phá nhiều lần, bề mặt crom oxyclorua trở nên mịn hơn thay vì thô ráp. Điều này giúp hạn chế hiện tượng lắng đọng không đồng đều của các sản phẩm phụ, từ đó tạo ra các chi tiết khắc sắc nét và chính xác hơn – yếu tố quan trọng đối với các kiến trúc chip 3D hiện đại.
Tuy vậy, công nghệ này vẫn cần được nghiên cứu thêm trước khi ứng dụng rộng rãi. Các thử nghiệm hiện mới được thực hiện trên những mảnh vật liệu nhỏ. Bước tiếp theo là tìm cách tạo lớp crom oxyclorua đồng đều trên toàn bộ wafer silicon, nền tảng để sản xuất hàng loạt chip trong công nghiệp bán dẫn.
Theo techxplore.com